IT之家 2 月 23 日新闻，英特尔昨天更新了其半导体 Foundry 相干页面的先容，并发布其“四年五个节点”（当初是四个节点了）打算中最后也是最为主要的 Intel 18A 工艺筹备停当，打算于往年上半年开端流片。18A 制程的成熟标记着英特尔 IDM 2.0 策略的严重冲破，同时被视为英特尔代工效劳（IFS）重铸昔日荣光的要害旌旗灯号，对曾经退休的英特尔前 CEO Pat Gelsinger 来说相对是好新闻。就现在已知信息，英特尔下一代挪动处置器 Panther Lake 至少有一局部将基于 Intel 18A 工艺制作。英特尔表现，Panther Lake 芯片打算于往年下半年宣布并投产，不外 Intel 18A 初期产能无限，以是搭载该芯片的条记本电脑估计要比及 2026 年才会大量量上市。别的，英特尔将于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面处置器。这两款产物承载了英特尔振兴的盼望，英特尔以为它们的到来将明显改良该公司的收入情形。英特尔还打算在来岁上半年推出的首款基于 Intel 18A 的效劳器产物 Clearwater Forest（最初打算 2025 年宣布）。英特尔表现，往年的主题是进步“至强”的市场竞争位置，从而尽力缩小与竞争敌手的差距。说回 Intel 18A 工艺，英特尔称其采取了业界开创的 PowerVia 反面供电技巧，以及 RibbonFET 全围绕栅极（GAA）晶体管技巧，相较于 Intel 3 工艺密度晋升 30%、单元功耗机能晋升 15%。据行业剖析，其 SRAM 密度已与台积电 N2 制程持平，乃至在功耗跟机能均衡把控方面更具竞争上风。IT之家从官方得悉，PowerVia 反面供电技巧经由过程将供电层与旌旗灯号层分别，实现芯片密度跟单位应用率晋升 5%-10%。比拟传统正面供电计划，其电阻压降（IR Drop）明显下降，在雷同功耗前提下可实现最高 4% 的机能晋升。RibbonFET 全围绕栅极晶体管技巧采取纳米带（Nanoribbon）构造，实现对电流的准确把持，可在芯片元件微缩化过程中无效下降泄电率，无效缓解高密度芯片的功耗成绩。英特尔表现，Intel 18A 技巧作为 IFS 的中心竞争力，凭仗多项冲破性翻新，将成为北美地域首个量产落地的 2nm 以下进步制程节点，为寰球客户供给供给链多元化抉择。